自偏置反相器的小信号增益可以通过分析其交流小信号等效电路来得到。

NMOS和PMOS的小信号模型是分析反向器的基础。

小信号模型：在大信号模型线性化的基础上推导得出。

根据小信号模型求解传递函数，常见方法包括基本建模法、状态空间平均法、开关元件平均模型法、开关网络平均模型法，也可通过小信号分析求解关键节点KCL方程来推导。基本建模法在满足低频、小信号等特定条件下，将电路中的非线性元件近似看作线性元件。

例如，晶体管可用h参数模型或混合π模型表示，其中输入电阻、跨导等参数由直流工作点决定。同时，电源（如直流电压源）需视为短路（因交流信号下其内阻可忽略），电容和电感则根据频率特性处理为短路或开路。此步骤的核心是将非线性电路转化为线性电路，便于应用线性分析方法。

步骤：建立开关周期平均模型（如Buck电路中开关管和二极管的平均端口变量）。引入小信号扰动（如占空比 D（t）=D+d̂；（t），代入平均关系并忽略二阶小量。结合LC滤波器等子系统方程，推导控制-输出传递函数（如 Gvd（s）。应用场景：开关电源、电力电子等存在非线性元件的系统。

小信号建模假设：所有变量分解为直流稳态分量与小信号交流分量，忽略开关纹波与高阶谐波，仅保留基频交流分量。 默认忽略输入电压纹波与负载扰动（如需分析扰动可后续叠加对应分量）。

小信号模型是大信号模型的简化形式，适用于分析静态工作点附近电路的动态行为。理论上，大信号模型关注的是直流工作点，而小信号模型关注的是交流信号在直流工作点对NMOS管的影响，这一交流信号不会改变直流工作点。NMOS管在饱和区工作时，被视为电压控制电流源。在三极管区域，当电压较低时，NMOS表现如同一个电阻。

小信号模型：是大信号模型在静态工作点附近的近似。

核心是利用静点附近小信号变化量建立等效电路模型。

小信号模型的推导 确定晶体管的小信号模型 NMOS和PMOS的小信号模型是分析反向器的基础。

若考虑到沟道长度调制效应，则此时的lambdane0。此时需要画出小信号模型的电路图来分析Gain。